MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TD-062E AUT:R par Micron Technology et K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16TD-062E AUT:R K4A4G165WG-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,90 $16,90
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Taille de mémoire 8 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Interface Parallel Parallel
Clock Frequency / Data Rate 1.6 GHz —
Access Time 19 ns 19 ns
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Boîtier 96-FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 (AUT grade) —
Packaging Suffix -R (Tape & Reel) —
Speed Grade -062E —
Technology Family DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval spec] [DATA_NEEDED: refresh interval]
Memory Organization — 256M x 16
Débit de données — 3200 Mbps
Température de fonctionnement — 0C to +85C
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
Statut RoHS — Compliant (per JLCPCB listing)
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]

Fiches techniques et ressources

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